解决方案
SOLUTION
半导体
CMOS高温形变的动态追踪：Sensofar实现可视化分析
样品：可靠性测试
检测项：无
CMOS高温形变的动态追踪：Sensofar实现可视化分析 Sensofar的S neox 3D光学轮廓仪在测量后会生成大量不同温度梯度下的三维形貌数据。想要高效对比、量化、直观呈现升温全过程形变差异，依靠SensoMap分析软件即可完成全流程数据处理。
Sensofar S neox热台联用系统：半导体变温表征的原位三维形貌解决方案
样品：表面形貌与粗糙度分析
检测项：无
Sensofar旗舰机型S neox 090，支持加装热台对样品进行加热处理。配合定制的热台专用物镜，便于快速获取整个样品表面形貌。 热台能够以高精度复现半导体制造过程中高达数百摄氏度的工艺温度节点，从而对测试芯片在热载荷作用下的表面形貌响应进行实时观察与定量测量。与此同时，Sensofar配套测量软件支持自定义测量间隔时间，并可与热台的程序化升温时序进行联动，实现变温过程的自动化同步数据采集。
芯片测试中的“微观足迹”：Sensofar为探针压痕测量带来的非接触式解决方案
样品：表面形貌与粗糙度分析
检测项：无
Sensofar S neox 3D光学轮廓仪以干涉技术为核心，搭载50倍物镜，可在2秒内完成目标区域高速扫描，以纳米级纵向分辨率精准捕获印记深度信息。借助SensoPRO分析插件，系统能够自动执行批量数据处理，统计输出最大深度、平均深度等关键指标。整个测量流程采用非接触光学方式，避免对样品造成任何机械损伤，在完整量化压痕损伤程度的同时，为探针压力工艺参数的优化调整提供可信赖的数据支撑。
喷头洁净度“体检”新方案：Sensofar S neox让CVD工艺隐患无所遁形
样品：晶片外延生长
检测项：无
针对CVD喷头质控需求，Sensofar的S neox利用干涉技术，提供高效检测方案：5倍物镜4秒快速扫描排查疑似残留物，50倍物镜2秒精准成像观测微纳米细节；低噪声特性不受倍率限制，可捕捉纳米级缺陷，全程无需接触样品表面，避免二次污染或损伤，特别适用于对洁净度要求极高的CVD喷头检测，为喷头清洁度验证提供可靠支撑，筑牢薄膜工艺质量防线。
Sensofar 3D光学轮廓仪在深宽比测量的技术解析
样品：表面形貌与粗糙度分析
检测项：无
在微纳制造与精密测量领域，高深宽比结构的精确表征长期面临技术挑战。深宽比作为衡量结构纵向深度与横向开口比值的关键参数，其数值越大，意味着侧壁越陡直、底部越难以光学触及，对测量系统的解析能力提出更高要求。本文将深入探讨数值孔径（NA）与深宽比之间的关系，并阐述如何选择适配的光学测量方案。
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